Voir aussi : l'atome et l'électron - les semi-conducteurs - la diode Zener - la jonction PN - vérification d'une diode - Le transistor bipolaire -

- Diode de redressement : On la rencontre partout mais principalement dans les alimentations secteurs. Le semi-conducteur le plus utilisé est le silicium
- Diode PIN : diode de commutation rapide utilisée dans les circuits atténuateurs pour les signaux HF.
- Diode de commutation, dans les circuits logiques.
- Diode Zener ou avalanche : références de tension dans les alimentations stabilisées, protection des surtensions...
- Diode à effet tunnel : pour la commutation rapide, comme élément actic dans les oscillateurs.
- Diodes varicap, à capacité variable, elles sont utilisées comme condensateur variable dans les circuits oscillants.
- Diode Gunn : utilisée comme élément actif en hyperfréquence (oscillateur...)
- Diode Schottky : seuil de tension directe très bas facilitant la détection des signaux HF faibles et hyperfréquences. Redressement de puissance

La diode à jonction, principe

Une jonction PN ne laisse passer le courant que dans le sens direct, lorsque sa cathode (zone N) est reliée au - de la source de courant continu. Dans le sens inverse l'intensité est très faible, la diode se comporte comme une résistance très élevée.

sens direct, courant fort		sens inverse, courant faible

La diode à jonction dans le sens direct

La courbe ci-contre montre la variation du courant direct ID en ampères en fonction de la tension UD en volts aux bornes de la jonction. Tant que la tension directe est inférieure au seuil s (environ 0,6 volts pour le silicium) le courant direct est très faible. Dès que la différence de potentiel aux bornes de la jonction atteint la valeur de seuil les porteurs majoritaires diffusent au travers de celle-ci et le courant augmente très rapidement. La zone de transition disparait et la conductivité de la jonction est maximum. Lorsque le courant direct augmente l'energie dissipée dans la jonction provoque un échauffement qui peut être destructif (85°C pour le germanium, 175°C pour le silicium). Les diodes de puissance sont généralement munies d'un refroidisseur.


La diode à jonction dans le sens inverse

Polarisée en sens inverse une diode au silicium ne laisse passer qu'un courant infime dû aux porteurs minoritaires. Lorsque la tension inverse atteint la tension de claquage, le nombre des porteurs minoritaires augmente brutalement pour plusieurs raisons :
- le champ électrique élevé provoque l'arrachement d'un plus grand nombre d'électrons
- les électrons accélérés par le champ électrique percutent d'autres atomes et arrachent des électrons supplémentaires (effet d'avalanche)
- la température augmente dans la jonction et l'ionisation également.
A partir de la tension de claquage le courant augmente fortement alors que la tension inverse n'augmente que très peu. Ce phénomène est exploité dans les diodes Zener utilisées comme régulateur de tension. Dans les autres diodes le claquage est destructif.